ACT = ACTIVATE PREA = PRECHARGE ALL SRX = 自刷新推出
MPR = 多用处寄存器 READ = RD，RDS4，RDS8 WRITE=WR，WRS4，WRS8
MRS=模式寄存器集 READ AP=RDAP,RDAPS4,RDAPS8 WRITE=WRAP,WRAPS4,WRAPS8
PDE=掉电进入 REF=REFRESH ZQCL=ZQ LONG CALIBRATION
PDX=掉电推出 RESET=启动复位过程 ZACS=ZA SHORT CALIBTATION
PRE=预充电 SRE=自刷新进入
4、工作原理
在描述了上述的一些基本概念后，就可以对图1中的DDR3工作原理进行基本的描述了理解了。
芯片进入上电，在上电小为200us的平稳电平后，等待500usCKE使能，
在这段时间芯片内部开始状态初始化，该过程与外部时钟无关。在时钟使能信号前（cke），
必须保持小10ns或者5个时钟周期，还需要一个NOP命令或者Deselect命令出现在CKE的前面。
DDR3开始了ODT的过程，在复位和CKE有效之前，ODT始终为高阻。
在CKE为高后，等待tXPR(小复位CKE时间)，开始从MRS中读取模式寄存器。
加载MR2、MR3的寄存器，来配置应用设置；使能DLL，并且对DLL复位。
接着便是启动ZQCL命令，来开始ZQ校准过程。等待校准结束后，DDR3就进入了可以正常操作的状态。
对于基本的配置过程，现在就可以结束了。下面，结合CH1的控制器FPGA,说明对DDR3相关的配置。
