LLDPE齐鲁石化聚乙烯7149粉
大高度(Rmax)优选为200nm以上550nm以下，特别优选为300nm以上500nm以下。所述大高度(Rmax)表示不具有脱模层一侧的表面上的大突起的高度，是陶瓷片的针孔缺陷的指标。具体而言，不具有脱模层一侧的表面的大高度(Rmax)超过600nm时，在涂布陶瓷浆料、干燥后卷绕时，该大高度(Rmax)超过600nm的部分被挤压在陶瓷片上，在陶瓷片的表面形成凹部，该凹部变薄，结果容易产生针孔缺陷。不至于由此产生针孔缺陷，在陶瓷片中形成了极薄的部分，成为陶瓷电容器的缺陷。S卩，通过使本发明的脱模薄膜的脱模层表面、以及不具有脱模层一侧的表面的大高度(Rmax)在上述数值范围内，则表面平滑性更加优异，可以抑制所得陶瓷片的表面凹凸形状，可以获得厚度偏差得到抑制的陶瓷片。其结果，使用所得陶瓷片制备陶瓷电容器时，可以抑制内部电极的位置偏差。还可以抑制陶瓷片中针孔的发生。并且陶瓷片的剥离性变得良好。大高度(Rmax)可通过调整过滤熔融聚合物的条件、或者聚酯薄膜中所含颗粒的形态等来实现。[纵向的厚度偏差和横向的厚度偏差]本发明的脱模薄膜优选纵向的厚度偏差为3.0%以下。本发明的脱模薄膜优选横向的厚度偏差为3. 0%以下。本发明的脱模薄膜优选纵向的厚度偏差和横向的厚度偏差在上述数值范围内。特别是通过使用厚度偏差优异的脱模薄膜，可以更高度抑制所得陶瓷片的厚度偏差。使用上述脱模薄膜制备陶瓷片、使用所述陶瓷片制备陶瓷电容器时，可以获得容量更加均勻的陶瓷电容器。基于上述观点，纵向的厚度偏差优选为2. 9%以下， 优选为2.5%以下，特别优选为2.0%以下，横向的厚度偏差优选为2. 8%以下，进一 步优选为2. 6%以下，特别优选为2. 5%以下。
纵向的厚度偏差可通过纵向拉伸倍率来调节。调节纵向拉伸步骤中的辅助加热温度、拉伸温度也很重要。横向的厚度偏差可通过纵向拉伸倍率、横向拉伸倍率来调节。调节横向拉伸步骤中的辅助加热温度、拉伸温度也很重要。〈脱模薄膜的制备方法〉对于具有上述物性的本发明的脱模薄膜的制备方法进行如下说明。本发明的脱模薄膜通过以下所述的未拉伸聚酯薄膜成型步骤、一次拉伸步骤、线内涂布步骤、二次拉伸步骤和热定型步骤来制备。[未拉伸聚酯薄膜成型步骤]在获得本发明的脱模薄膜时，在未拉伸聚酯薄膜成型步骤中，将后述的聚酯原料挤出成型，获得未拉伸聚酯薄膜。挤出成型时，使用挤出机，用冷却辊将由模头挤出的熔融片冷却固化，获得未拉伸聚酯薄膜。此时，为了减少聚合物中的粗大颗粒，优选在熔融挤出之前使用由线径15μπι 以下的不锈钢细线形成的平均网孔10 μ m以上30μ m以下的无纺布型滤器、优选10 μ m以 上20 μ m以下的无纺布型滤器，过滤熔融聚合物。这样，通过减少聚合物中的粗大颗粒的个数，可以使脱模薄膜的脱模层表面、以及不具有脱模层的一侧的表面的大高度(Rmax)在IOOnm以上600nm以下的数值范围。并且，所述过滤处理后，在模头的喷出口之前使用平均网孔10 μ m以上50 μ m以下、优选15 μ m以上30 μ m以下的滤器过滤熔融聚合物，这可以高度除去聚酯的热劣化物，从这一点考虑优选，这可以使大高度(Rmax)值在优选的数值范围内。从使未拉伸聚酯薄膜的平面性提高的角度考虑，优选提高由模头挤出的熔融片与冷却辊的粘附性，例如优选采用静电外加粘附法和/或液体涂布粘附法。[一次拉伸步骤]在一次拉伸步骤中，将通过上述未拉伸聚酯薄膜成型步骤获得的未拉伸聚酯薄膜沿长度方向拉伸(以下也可称为纵向拉伸)，由此获得长度方向单轴拉伸聚酯薄膜。此时，在一次拉伸步骤之前预先在(Tg-IO)V以上(Tg-2) V以下的温度条件下 预热，如此可以具有均勻的厚度，可获得具有所需长度方向的伸长率(Stffi)和热伸长率(HStffi)的脱模薄膜，优选。这里，Tg表示未拉伸聚酯薄膜的玻璃化转变温度(单 位°C)。一次拉伸步骤中，在(Tg+2)°C以上(Tg+40)°C以下的温度条件下，将任意实施了 预热的拉伸聚酯薄膜以3. 3倍以上4.0倍以下的范围沿长度方向拉伸。当拉伸倍率小于3. 3倍时，长度方向的热伸长率HStffi有形成正值的倾向，即薄膜有伸长的倾向，不优选。另一方面，拉伸倍率大于4.0倍时，长度方向的伸长率(Stffi)存在变得 过小的倾向，不优选。
脱模薄膜在制备陶瓷偏时的加热张力下具有适度的尺度变化率，使陶瓷浆料干燥时的热收缩平衡优异。即，可充分满足作为陶瓷片制备时使用的脱模薄膜所要求的性能。在使用本发明的脱模薄膜作为陶瓷片制备用的载体薄膜时，不仅是搬运步骤，在干燥步骤中载体薄膜的热收缩平衡也优异，可以高度抑制所得陶瓷片的厚度偏差。具有本发明的优选方案的脱模薄膜，其表面平滑性优异，可以抑制所得陶瓷片中针孔的发生。利用具有本发明的优选方案的脱模薄膜可以使陶瓷片以及陶瓷电容器的生产性提高。并且具有本发明的优选方案的脱模薄膜可以高度抑制在载体薄膜卷取步骤或从载体薄膜上剥离陶瓷片的步骤中发生的剥离静电。其结果，在使用本发明的脱模薄膜制备的陶瓷片来制备陶瓷电容器时，可以高度抑制所得电容器的内部电极的位置偏离。本发明的薄膜卷可以提供平坦性优异的脱模薄膜。使用由所述脱模薄膜制备的陶瓷片来制备陶瓷电容器时，可以得到容量均勻的陶瓷电容器。
该脱模薄膜是在聚酯薄膜的至少一个面上具有脱模层的脱模薄膜，在脱模薄膜的长度方向上施加0.2MPa以上4.0MPa以下的张力时，100℃下的长度方向的伸长率SMD满足下述式(1)；在与脱模薄膜的长度方向相垂直的方向上施加0.01MPa张力时，100℃下的与长度方向相垂直的方向的伸长率STD满足下述式(2)；脱模薄膜在无载荷下、100℃下的长度方向的热伸长率HSMD满足下述式(3)；脱模薄膜在无载荷下、100℃下的与长度方向相垂直的方向的热伸长率HSTD满足下述式(4)。