薄膜包衣预混辅料，其中着色剂选自钛白粉、铝色淀或氧化铁中的一种或几种。
(1)按以下配比称取物料10-50Wt%的羟丙基甲基纤维素、4-15wt%的聚乙烯吡咯烷酮醋酸乙烯酯共聚物(64)、3-30wt%的聚乙烯醇聚乙二醇共聚物、2-20wt%的甲基丙烯酸-丙烯酸乙酯共聚物(1l)、l-25wt%的聚乙二醇、l-40Wt%的滑石粉、l-40Wt%的着色剂；
(2)预混将上述物料加入到多向运动混合机，混合10-30分钟；
(3)精混将经过步骤(2)混合后的物料加入到研磨混炼机，混合1-10分钟；
(4)终混将经过步骤(3)混合后的物料加入到多向运动混合机中混合10-30分钟，得到终混合均勻的薄膜包衣预混辅料。
一种薄膜包衣预混辅料，其特征在于主要包含有10-50wt%的羟丙基甲基纤维素、4-15wt%的聚乙烯吡咯烷酮与醋酸乙烯酯按质量比64的共聚物、3-30wt%的聚乙烯醇聚乙二醇共聚物、2-20wt%的甲基丙烯酸与丙烯酸乙酯按质量比11的共聚物，其余量为辅助材料。
一种薄膜包衣预混辅料，其成分主要包含羟丙基甲基纤维素、聚乙烯吡咯烷酮醋酸乙烯酯共聚物(6∶4)、聚乙烯醇聚乙二醇共聚物、甲基丙烯酸-丙烯酸乙酯共聚物(1∶1)、聚乙二醇、滑石粉以及着色剂。本发明薄膜包衣预混辅料，具有良好的防潮、防裂、适时崩解性能，且以水为溶媒。
目前的薄膜半导体材料主要有，硅(si)、氧化物(oxide)和其他新型材料。其中，oxide半导体材料的迁移率一般在几十以内，勉强可以对应低分辨率电流型器件的需求，而si材料主要是非晶硅和低温多晶硅。现阶段的低温多晶硅的迁移率小于1，而无法应用于电流型器件，仅能应用在小尺寸的电流型器件，例如oled或者microled，当分辨率提升或者尺寸增大时，也难以对应。为此非常有必要继续开发高迁移率薄膜技术。只有单晶硅才希望将迁移率提升到几百到上千的水平，大部分是体材料的单晶硅，而薄膜晶体管(tft)器件所需的是薄膜材料，目前还没有一种能对应玻璃基的薄膜材料。
