超薄金属(＜10nm)透明导电薄膜一般具有多层复合结构，其复合结构设计的出发点一方面是为了通过衬底表面修饰、籽晶层等手段，使金属薄膜的生长模式在较低厚度下实现三维岛状向二维连续的转变，另一方面是为了通过在金属薄膜顶部添加阻挡层或保护层，使金属薄膜在各种使用条件下具有更好的稳定性。
随着对金属薄膜的生长机制以及其在各种条件下性能退化的机制的研究，使得获得结构简单、阈值厚度较低同时稳定性较好的超薄金属薄膜成为可能。但同时，超薄ag金属薄膜在电子器件中的真正应用还需要良好的稳定性。然而，目前已有的提高ag薄膜稳定性的方法还比较单一且对于ag薄膜稳定性的研究缺乏系统性。随着电子器件向体积更小、功能更强大的趋势发展，其所需的电流密度逐渐增大，在开关瞬间所承受的浪涌电流也随之增大，这要求透明导电膜在浪涌电流的冲击下也具备较好的稳定性。然而目前几乎没有关于超薄ag薄膜在浪涌电流下稳定性的研究。
随着集成电路技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长；与此同时，芯片制造商们出于降低成本的需要，也迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这两种趋势推动了半导体器件的集成度越来越高，特征尺寸越来越小。当存储器和逻辑器件的技术节点达到20nm及以下时，为保证器件之间的隔离以避免相互干扰，隔离区域往往需要形成细长且形貌复杂的超高深宽比沟槽(深宽比大于30)，这已大大超出当今常规填充工艺(如高密度等离子体化学气相工艺和高深宽比化学气相工艺)的填充能力范围。
