华富蓄电池在出厂到运用，普通会经过2个月左右时辰，以至有更长时辰，自然会存放中耗费一局部电量，所以，有必要停止补偿充电，防止我们误以为电池容量不契合阐明书标注的电量。
华富太阳能电池可以经过确保每一量子阱薄层的带隙与其它这样的层相比是不均一的来完成。经过改动在连续构成的量子阱内的至少两种II族～VI族元素的含量，和/或改动连续的量子阱层的厚度而产生的带隙的突变提供了逾越可应用的太阳能光谱的较大范围的吸收的增加。
产品特性：
1、免维护电池：
采用共同的气体再化合技术（GAS RECOMBINATION）技术。不用定期补液维护。减少用户运用的后顾之忧
2、平安牢靠性高：
采用自动开启、关闭的平安网（VRLA），避免外部气体被吸入蓄电池内部而维护蓄电池性能，同时可避免因充电等产生的气体而形成内压异常是蓄电池遭到毁坏。全密闭电池在正常浮充状况下不会有电解液及酸雾排出，对人体无害。
3、运用寿命长：
在20°C环境下，FM系列电池浮充寿命可达3～5年，FML系列电池浮充寿命可达
8-10年。
4、装置运用便当：
全新的顶部和侧位衔接方式，便当用户以各种方式衔接电池，极大的减少装置的工作量和风险性
5、自放电率低：
采用优质的铅钙多元含金，降低了蓄电池的自放电率，在20°C的环境温度下，Kstar蓄电池在6个月内不用补充电即可运用。进步电池的运用效率
6、顺应环境才能强：
可在-20°C～+50°C的环境温度下均运用，适用于沙漠、高原性气候。可用于防暴区的特殊电源
7、放置随意性强：
特别隔阂（AGM）结实吸附电解液使之不活动。电池无论立放或卧放均不会泄露，保证了正常运用。
免维护：免维护蓄电池由于本身构造上的优势，电解液的耗费量十分小，在运用寿命内根本不需求补充蒸馏水。它还具有耐震、耐高温、体积小、自放电小的特性。运用寿命普通为普通蓄电池的两倍。市场上的免维护蓄电池也有两种：##种在购置时一次性加电解液以后运用中不需求维护(添加补充液 ) ；另一种是电池自身出厂时就曾经加好电解液并封死，用户基本就不能加补充液。
技术引见
半导体太阳能电池(诸如氮化铟镓(InGaN)电池)具有改良现有的太阳能捕获技术的效率的潜力。由于InGaN可调理的直接带隙，它特别表现出作为太阳能电池半导体资料的宏大潜力，随着在InxGa1-xN层中的铟含量在0.0～1.0的范围内改动，该可调理的直接带隙能够在大约0.67eV～大约3.4eV的范围内变化，从而InGaN显现出简直逾越整个太阳光谱的吸收。InGaN具有进一步有用的特性，诸如高载流子迁移率、高饱和速度以及对高温和辐射的较好抗性。通常，在构成这样的太阳能电池时，GaN层将用作基底或下面的外延层，使相对高铟含量的InGaN层在该GaN层上生长以可以完成希冀的吸收效率。
包括：(a)第一连结层；(b)第二连结层；以及(c)在所述第一连结层和所述第二连结层之间的有源区，所述有源区包括多个量子阱层，所述多个量子阱层的每一量子阱层被夹在阻挠层之间，并且构成各量子阱层的资料独立地是III族的氮化物，其中，由于层的厚度变化和/或它们的构成元素中的至少一种构成元素具有不同组成，连续的量子阱层具有不同的带隙值。
该途径的一个问题是由于InxGa1-xN和GaN之间的宏大的晶格失配所产生的高应力，可以招致不希冀的结果，诸如相别离和错配位错。这样使得在实践中相对厚的InGaN层的生长成为一艰难的途径，该相对厚的InGaN层对增加太阳能的吸收是有用的。一种曾经被提出的计划是在构造内运用多量子阱(MQW)。每一量子阱(QW)是显现出低带隙的十分薄的半导体资料层，且被夹在两个较高带隙的阻挠层之间。当处置半导体资料时，诸如InGaN，其具有高光学吸收系数且因而十分薄的资料层能够提供足够程度的吸收，运用多量子阱是实在可行的途径。例如，运用这些InGaN的低维度多量子阱使得可以构成与较厚的InGaN层相比高质量的晶体层，从而使夹层应力和相别离大大降低，同时提供量子化能级的进一步优点。