浙江冠通蓄电池6-GFM-150蓄电池12v150AH参数
更新:2019-03-24 12:16 编号:5956977 发布IP:221.218.191.251 浏览:78次- 发布企业
- 北京华瑞鼎盛科技有限公司商铺
- 认证
- 资质核验:已通过营业执照认证入驻顺企:第7年主体名称:北京华瑞鼎盛科技有限公司
- 报价
- 人民币¥850.00元每
- 品牌
- 冠通蓄电池
- 型号
- 6-GFM-150
- 产地
- 浙江
- 关键词
- 冠通蓄电池,6-GFM-150
- 所在地
- 北京市海淀区海淀南路19号
- 联系电话
- 010-57166986
- 手机
- 13126667835
- 销售经理
- 刘洋 请说明来自顺企网,优惠更多
详细介绍
冠通蓄电池凭着产品的过硬质量和诚信天下的服务理念在行业内有着良好的声誉。公司是一家集免维护铅酸蓄电池、太阳能光伏系统、UPS电源,LED光源,电源等研发、制造、销售、服务为一体的科技主导型的股份企业。专业生产铅酸蓄电池、太阳能光伏电源,LED光源。工厂占地面积为50亩,年产值可达5000万至1亿的能力。总公司还在国内设有多家直属法人的销售公司.实行董事会领导下的总经理负责制的治理结构,决策层和执行层、职责明确。公司自组建以来,秉承“发展、责任、回报”企业核心理念,坚持“共创伟业、共享未来”为员工共同价值导向的企业精神,经过所有员工多年不懈的努力,公司规模慢慢发展壮大。
冠通6-GFM系列蓄电池
1. 引用标准 MF系阀控密封式铅酸蓄电池符合如下标
● JIS C 8707-1992 阴极吸收密封固定型铅蓄电池标准
● JB/T8451-96 中华人民共和国机械行业标准
● YD/T 799-2002 中华人民共和国通信行业标准
● DL/T 637-1997 中华人民共和国通信行业标准
2.应用领域 不间断电源 军备电源 设备 监控系统 通信设备 航空/航海系统 石化工业 电厂/电站等
3.铅酸蓄电池特性
● 免维护(寿命期内无需加酸加水)。
● 使用严格的生产工艺,单体电压均衡性佳。
● 采用特殊板栅合金,抗腐蚀性能及深循环性能好, 自放电极小。
● 吸附式玻璃纤维技术使气体复合效率高达99%且内 阻低,大电流放电性能优良。
4. MF铅酸蓄电池安装要求
● 使用前检查电池外观有无裂纹,破损,漏液现象, 一经发现应及时查找原因或进行更换。 ●电池应安装在远离火源,热源(大于2M)的地方,必须有良好的排气通风条件,应确保电池运行的环镜温度在15-25度。使得电池有较长的使用寿命。
● 充电电流电压,时间必须按厂家规定执行,电池避 免过充过放电。
● 搬运,安装,使用过程中应避免电池正,负极短路。
5. MF铅酸蓄电池使用注意事项
● 拆装电池应由专业人员完成,若因机械损坏电池电液沾到了皮肤或衣服上。立即用清水冲洗。如果溅入眼睛,要尽快用大量的清水冲洗并立即上医院。
● 不同容量,不同制造商或新旧不同的电池请勿混用。
● 勿用花纤布或海棉擦拭电池外壳。
冠通蓄电池6-GFM-38应急
近年来,硅碳负极材料相关技术发展迅速,迄今已有少量产品实现实用化,日本日立集团Maxell公司已开发出一种以“SiO-C”材料为负极的新式锂电池,并成功地应用到诸如智能手机等商业化产品中。硅碳负极锂离子电池距离真正大规模商业化应用仍有大量科学问题亟需解决。
本文从材料选择、结构设计以及电极优化等方面综述了硅/碳复合材料近年来的研究进展,并对硅碳材料的发展趋势作了初步展望,以期为研究高性能锂离子电池负极用硅碳复合材料提供借鉴。
硅碳复合材料结构设计
从硅碳复合材料的结构出发,可将目前研究的硅碳复合材料分为包覆结构和嵌入结构。
1.1包覆结构
包覆结构是在活性物质硅表面包覆碳层,缓解硅的体积效应,增强其导电性。根据包覆结构和硅颗粒形貌,包覆结构可分为核壳型、蛋黄-壳型以及多孔型。
1.1.1核壳型
核壳型硅/碳复合材料是以硅颗粒为核,在核外表面均匀包覆一层碳层。碳层的存在不仅有利于增加硅的电导率,缓冲硅在脱嵌锂过程中的部分体积效应,还可以大限度降低硅表面与电解液的直接接触,进而缓解电解液分解,使整个电极的循环性能得到提高。
Zhang等采用乳液聚合法在硅纳米颗粒表面包覆聚丙烯腈(PAN),经800℃热处理得到硅碳核壳结构复合材料(Si@C)。无定形碳层抑制了充放电过程中硅颗粒的团聚,Si@C在循环20次后容量维持在初始容量的50%左右。硅纳米颗粒在循环20次后容量衰减严重。
Hwa等以聚乙烯醇(PVA)为碳源,采用惰性气氛下高温热解法对硅纳米颗粒进行碳包覆,得到碳壳层厚度为5~10nm厚的硅碳复合材料。采用硅纳米颗粒可以降低硅的体积效应,减弱材料内部应力,碳包覆则缓冲了硅内核的膨胀,该复合材料在100mA/g电流下循环50次后比容量仍可达1800mA˙h/g,展现出优异的循环稳定性,而纯纳米Si和碳包覆微米硅(4μm)容量则衰减至不足200mA˙h/g。
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