SiC基片检测，SiC基片检测中心

清析技术研究院可提供相关检测服务，提供CMA/CNAS检测报告，实验室设施完备、强大的项目专家检测团队。

SiC基片检测项目

外观检测：表面划痕、裂纹、缺陷、污染。

尺寸测量：厚度、直径、形状。

电学性能测试：电阻率、载流子浓度、迁移率。

结构完整性检测：晶体结构完整性、一致性。

杂质含量检测：杂质种类、含量。

检测范围

各类SIC单晶晶片，用于高功率电力电子器件、LED、激光器等。

检测标准

相关行业标准：如SIC单晶晶片的行业标准或企业标准。

SEMI标准：半导体材料和设备的国ji标准。

ASTM标准：涉及半导体材料的测试方法。

企业自定义标准：如电阻率需达到一定数值，载流子浓度需在一定范围内等。

特定应用标准：如航空航天用SIC晶片需满足的抗辐射能力和高可靠性要求。

检测报告细节注意点

(1)检测报告应反映信息的真实一致性

包括委托委托单位或委托人、材料样品、检测条件和依据、检测结果和、需要说明的问题、审核与批准、有效性声明等。

(2)检测报告基本格式注意点

主要由封面、扉页、报告主页、附件组成。各部分一般包括检测报告名称、编号、检测类性、委托项目、检验检测机构名称、报告发出时间、检验检测机构的地址、联系方式等。

检测费用

根据具体检测项目收费，具体的费用可咨询客服安排工程师详细报价。

检测周期

到样后7-10个工作日（可加急），会根据样品及其检测项目/方法有所变动，具体需咨询工程师。