第三方外延层检测中心，外延层缺陷检测

外延层是通过外延生长技术在衬底上形成的单晶层,晶体结构与衬底一致;在硅片上使用外延层可控制掺杂浓度、优化器件性能并减少衬底缺陷影响。

检测范围

硅外延层、砷化镓外延层、氮化镓外延层、碳化硅外延层、磷化铟外延层、锗外延层、氧化锌外延层、硒化锌外延层、碲化镉外延层、锑化镓外延层等。

检测项目

厚度测量、厚度均匀性检测、掺杂浓度分析、载流子参数测量、电阻特性检测、晶格布局分析、材料结构表征、表面形貌检测、表面粗糙度测量、晶体质量评估、缺陷检测、光学性能测试、机械性能检测、热性能分析、化学稳定性评估等。

检测周期

到样后7-10个工作日（可加急），根据样品及其检测项目/方法会有所变动，具体需咨询工程师。

检测标准（部分）

1、GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法

2、T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱

3、T/CASAS 004.1-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语

4、YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法

5、GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

6、GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法

以上是外延层检测的相关介绍，如有其他检测需求可以咨询实验室工程师帮您解答。

北京清析技术研究院提供分析、检测、测试、鉴定、研发等技术服务，服务领域涵盖材料、化工、环境、食品、农产品等。资质齐全，具备CMA、CNAS、CATL等资质证书。实验室设施完备，建有色谱分析室、光谱分析室、无机预处理室、热处理室、有机预处理室；配置有HS-GCMS、PY-GCMS、GC-FID/ECD/TCD、ICP-OES、AAS、UV、金相显微镜、MICRO-IR、LC、XRF等实验仪器。