电迁移是指金属导线中的电子在大电流的作用下，产生电子迁移的现象，这可能会引起电路的开路现象。电迁移效应（electro-migrationeffect）在金属导线中，电子流过时与金属原子发生碰撞，导致金属的电阻增大并发热。如果大量电子与金属原子发生碰撞，金属原子就会沿着电子的方向进行流动，这可能导致两个问题：一是移动后的原子在金属上留下一个空位，如果大量原子被移动，则连线断开；二是被移动的原子必须停在某一个地方，在电流方向的末端形成大量堆积。
电迁移现象在半导体工业中尤为重要，因为随着半导体技术的快速发展，材料和器件都以薄膜结构工作。在直流电场作用下，这种薄膜材料中的原子迁移和扩散运动将变得更加明显，扩散机制也更趋复杂。电迁移不仅可能导致电路的开路现象，还可能引起断路，影响电路的正常工作。
电迁移现象的研究对于理解集成电路的可靠性和寿命至关重要，特别是在高电流密度和高温度的条件下，电迁移效应可能成为影响电路性能和可靠性的关键因素。因此，电迁移的研究对于提高集成电路的可靠性和延长其使用寿命具有重要意义。
关于电迁移，北京清析技术研究院可提供电迁移测试、电迁移故障时间测试、电迁移失效时间测试、电阻值变化测试等测试项目。同时，北京清析技术研究院可对集成电路、集成电路金属喷镀等进行电迁移测试。
测试方法
电迁移是指在微电子器件中，由于电流通过一个较小的电阻区域，造成了电子浓度的分布变化，导致该电阻值的漂移。电迁移对芯片可靠性和性能有着很大的影响，测试电迁移现象的原理是通过施加电场和电流，观察器件电阻值的变化。
1、电迁移测试设备
直流电源：提供所需的直流电压。恒流源：保持电路中恒定的电流。数字万用表：测量电路中的电阻值。特定的测试芯片或器件：用以测试电迁移现象。
2、电迁移测试流程
a.选择测试芯片或器件，并准备好所需的测试设备。
b.将测试芯片或器件连接到测试电路中。
c.施加特定电压和电流，以模拟实际工作条件。
d.在测试过程中，持续测量电路中的电阻值。
e.根据测试结果分析电迁移现象，并探讨是否存在问题以及可能的解决方法。
测试标准
1、JEDEC JESD61A.01-2007 等温电迁移测试程序
2、08/30177255 DC BS EN 62415恒流电迁移测试
3、NF EN 62415:2010 半导体器件 – 恒流电迁移测试
4、QX/T 72-2007 大气亚微米颗粒物粒度谱分布电迁移分析法
5、DIN EN 62415:2010-12半导体器件-恒流电迁移测试
6、DS/ISO 15900:2020 粒径分布的测定气溶胶颗粒的微分电迁移率分析
