四探针电阻测试仪置温度补偿功能，可减少温度变化对电阻值的影响。数据存储与显示支持数字显示、数据存储
本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A~5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量jingque度尚未评估。
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm
适用范围四端测试法是目前较先进之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。
标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。
若需高温环境模拟（如半导体材料），优先选择 北广精仪 高温型号。关注兼容性与扩展性
使用环境等因素。以下是关键选择要点：明确测量需求测量范围与精度半导电材料（如橡塑护
品牌资质与售后服务，避免后续使用问题。
电源：220±10% 50HZ/60HZ
四探针电阻测试仪
双刀双撑电位选择开关。
测量电压量程：?2mV? 20mV? 200mV?2V?
\cdot \text{cm}\) 之间。需确保测试仪的测量范围覆盖实际应用需求。例如，若需测量中高
样品台和操针架样品台和探针架应符合 GB/T152 中的规定。 样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，
分辨率： 小1μΩ
四探针电阻测试仪BEST-300C
显示方式：液晶显示
湿度<65%），选择时需确认其稳定性和抗干扰能力，避免环境波动导致数据偏差。部分仪器内
行业标准：需确认仪器是否符合 YS/T 587.6-2006、GB/T 24521-2018等标准，满足相关炭素材料测试要求。材料类型：适用于石墨、碳素粉末、锂电池材料、粉末冶金等导电或半导体粉末的测试。自动化与功能性
提供完整的技术支持和售后服务，保障仪器的长期稳定使用。操作与维护便利性人机交互设计
考虑厂商技术支持能力，注意事项误差来源：粉末压实度、模具清洁度、环境温湿度均可能影响结果，需规范操作流程。校准维护定期使用标准电阻校准（如1-5 个标准电阻选配），确保长期稳定性。
标准电阻;按表2的薄层电阻范围选取所需的标准电，精度0.05 级
显示方式：液晶显示
测量精度±（0.1%读数）
电流输出：直流电流?0～1000mA?连续可调，由交流电源供电。
测量误差±5%
250 μm 的半球形或半径为 50 μm~125 μm 的平的圆截面。
而常规检测可适当放宽精度要求。测试电流适配性半导电材料对测试电流敏感，需根据材料
值电阻（\(10^6 \sim 10^8 \Omega\)），应选择量程扩展能力强的仪器，并关注其误差范围（
提升测量准确性，尤其适用于微电阻或高阻值测量场景。相较传统两线法或兆欧表，四线法更
电导率：5×10-6～1×108ms/cm
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
售后服务与标准认证优先选择提供计量证书的品牌标配计量证书），确保数据性。
在中国标准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
下列文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法
测量精度±（0.1%读数）
电流输出：直流电流?0～1000mA?连续可调，由交流电源供电。
直观的菜单操作、旋转鼠标输入或自动量程切换功能可简化操作流程，减少人为误差。耐用性
半导电材料电阻测试仪时需综合考虑测量需求、仪器性能及
粉体电阻率测试仪的选型需综合考虑测量需求、材料特性、测试环境及预算等因素。以下是基于搜索结果的选型关键点分析及推荐：核心选型要素
分类中，四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。
恒意源，按表1的推荐值提供试样所需的电流，精度为±0.5%.
试剂氢，优级纯，纯水，25 ℃时电阻率大于 2 MN·cm。
电阻测量范围：
自动化操作高端型号 北广精仪仪器设备公司支持自动加压、脱模、数据采集及生成曲线图谱，适合批量测试需求；手动型号成本较低。附加功能部分仪器集成温度、压强实时监测，或支持高温测试适用于模拟极端环境下的电性能分析。
关键部件采用进口元件的仪器寿命更长。应用场景扩展
选型建议明确测试需求
参考回路电阻测试仪的选型思路（如连续可调电流设计）。
端子法的设备，确保测量准确性根据场景（现场/实验室）选择便携式或高精度台式仪器。核查
例如，北广精仪的的半导电电阻测试适合中高阻值测量，而需要更大电流击穿氧化膜的场景可
度或功能。实验室场景优先选择，通常具备更高精度和扩展功能（如多档位电流调节）。若需
套、电缆接管）的电阻值通常介于 \(10^{-4} \Omega \cdot \text{cm}\) 至 \(10^8\Omega
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
化学实验室器具，如;塑料烧杯，量杯和适用于酸和溶剂的涂塑慑子等。试样制备如试样表面洁净，符合测试条件可直接测试，否则，按下列步骤清洗试样后测试∶试样在甲醇中源洗1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的试样无污迹为止。将试样干燥。放入中清洗1 min。 用纯水洗净。 用甲醇源洗干净， 用氮气吹干。
如需了解具体型号参数或供应商信息，可参考原文链接或联系厂商获取技术文档。
特性选择电流档位。例如，某些仪器提供1微安、0.1微安等多档位输出，避免电流过大导致材
光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，
探针与试样压力分为小于0.3 N及0.3 N~0.8N两种。
范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
误差：±0.2%读数±2字
硬件配置与兼容性 加压方发：液压系统（进口或国产）影响测试稳定性，压力范围需匹配材料特性（如 200 kg～1000kg 可选）。模具规格：内径（10 mm 或 20 mm）和高度（25mm）需根据样品量调整，部分型号支持定制。电极材质：紫铜镀金电极可减少接触电阻，适合高精度测试。
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
如2兆欧档误差±0.5%读数+2字）。精度要求：高精度场景（如实验室）需选择误差更小的仪器
测量电压量程：?2mV? 20mV? 200mV?2V?
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法提要
测试标准与适用材料
适合半导电材料的精密检测。环境适应性仪器需在特定温湿度条件下工作（如温度23±2°C、
与维护选择具备坚固外壳、防尘防水（如IP54等级）的仪器，适应户外或复杂工业环境。
误差：±0.2%读数±2字
电阻：1×10-5～2×105Ω
测量条件和步骤整个测试过程应在无光照，无离频和无振动下进行。
器类型与便携性1.手持式 vs 台式手持式：适合现场快速检测，便携性强，但可能牺牲部分精
品牌与技术支持优先选择技术成熟、提供售后支持的品牌 北广精仪仪器设备有限公司的设备
主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm
提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求
用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，达到热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.
电阻测量范围：
若需测量土壤电阻率或泄漏电流，可考虑多功能测试仪，但需确认其是否兼容半导电材料
电压表输入阻抗会引入测试误差。 硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果。
及导出功能的仪器更便于后续分析。例如，3位数字显示屏和自动过载提示能提升操作效率。仪
探针（带有弹簧及外引线）之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合 GB/T 552中的规定。
测量特殊形状或尺寸的样品（如扁钢接地体），需搭配专用取样器（如半导电橡塑电阻仪取样
分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
准），确保安全性与可靠性。例如，部分仪器明确标注符合电力行业执行标准（如DL/T 845.4
电导率：5×10-6～1×108ms/cm
电阻：1×10-5～2×105Ω
-2004）。
特性。建议明确被测材料的电阻范围及测试环境，选择匹配量程和精度的仪器优先采用四
使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
于10*0.电子测量装置适用性应符合GB/T 1552 的规定。 欧娇表，能指示阻值高达 10°日 的漏电阻. 温度针o℃～40℃，小刻度为0.1 ℃。
器）以实现测量。品牌与认证符合行业标选择通过国家或国际认证的仪器（如符合GB/T标
1. 测量范围与精度电阻率范围：多数仪器的电阻率覆盖范围为 (10^-7- 10^8 Omega)，部分高温型号可达更高范围（如 \(10^-8- 10^8 Omega）。精度要求：高精度型号的电阻率测量误差可低至 ±0.01μΩ·m，而经济型设备误差通常为 ±0.1%～±0.3%。电流与电压精度恒流源输出需稳定（如 ±0.01 mA），电压分辨率需达0.1 μV 以支持微小信号检测。
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。
电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV~100mV，分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小
提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求
电流换向开关
料损伤或测量失真。核心功能与技术特性四端子测量法采用四端子法可消除接触电阻的影响，
电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
测量误差±5%
分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
干扰因素探什材料和形状及其和硅片表面接触是否满足点电流源注人条件会影响测试精度。
分辨率： 小1μΩ
确认仪器是否支持选配模具或传感器（如压力、温度），以适应多样化测试需求。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
甲醇，99.5%。 干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"～150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm~