高纯硅纯度检测，电导率测定CMA实验室

高纯硅是一种纯度极高的硅材料，其主要成分为SiO2，杂质含量极低，可达到99.9999%以上。它是半导体材料的重要原料，用于制造集成电路、太阳能电池、触摸屏、LED灯等电子器件中的硅片。高纯硅具有优异的电学、光学特性，以及化学稳定性等优点，广泛应用于半导体工业、太阳能电池等领域。

高纯硅还可以作为照明、光导纤维、镜头等光电子器件中的重要原料，具有优良的光学性能，也可作为红外光导体，用于制造光学玻璃、光纤和激光光纤等。在化工行业，高纯硅可以作为化工工业中的原料，可以用于制造各种有机硅聚合物、有机硅油等。在医药行业，由于高纯硅的化学稳定性和生物相容性很好，可以作为医药器械及生物医学材料的原料。

高纯硅材料是由单一的硅原子所组成，硅原子在三维空间呈规则排列的多晶硅，由工业硅提纯得来，只含有极少量的杂质，硅含量通常在99．9999%（6N）以上。它经提拉或铸锭处理后，就制成了单晶硅或多晶硅，它们是制作集成电路和光伏电池的重要的基础材料。

纯度标准

高纯硅的纯度是通过衡量其中各种杂质的含量来确定的。一般来说，高纯硅的纯度可分为以下级别：

1.6N级别：纯度为99.9999%，即含杂质不超过10ppm；

2.7N级别：纯度为99.99999%，即含杂质不超过1ppm；

3.8N级别：纯度为99.999999%，即含杂质不超过0.1ppm；

4.9N级别：纯度为99.9999999%以上，即含杂质不超过0.01ppm。

高纯硅的纯度标准可以通过以下检测方法检测：原子发射光谱仪、电感耦合等离子体质谱仪、拉曼光谱仪等。

检测方法

1.红外光谱法

红外光谱法是通过测定高纯硅样品的红外光谱图谱来确定其组分和杂质含量。高纯硅具有特定的红外光吸收谱，可以通过与标准光谱图谱对比来判断样品的纯度。杂质的存在会导致红外光吸收峰的偏移或增强，从而可以定量分析杂质的含量。

2.质谱法

质谱法是通过将高纯硅样品转化为离子，并根据离子质量对样品进行分析。高纯硅样品经过加热或溅射后，可以将其转化为气态，通过质谱仪进行离子化并分析。质谱仪可以根据离子的质量对样品进行定性和定量分析，检测杂质的存在。

3.电导率测定法

高纯硅的电导率常常与杂质的存在有关。通过测量高纯硅样品的电导率，可以推测样品中的杂质含量。高纯硅的电导率通常很低，而杂质的存在会导致电导率的增加。通过测定样品的电导率，可以估计杂质的含量。

4.化学分析法

化学分析法是通过化学反应来测定高纯硅样品中的杂质含量。常用的化学分析方法包括溶解样品后的滴定法、比色法、光度法等。通过与标准溶液进行滴定或比色，可以定量测定高纯硅样品中各种杂质元素的含量。

检测标准

1、YB/T 4460-2015 高纯硅铁

2、GJB/J 5897-2006 高纯硅溶胶成分标准物质规范

3、YB/T 4462-2015 高纯硅铁 硼含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法

4、YB/T 4461-2015 高纯硅铁 锆和钼含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法

5、T/CISA 025-2020 非晶合金用高硅纯铁