二次离子质谱是一种非常灵敏的表面成份精密分析仪器，它是通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面的分子吸收能量而从表面发生溅射产生二次离子,通过质量分析器收集、分析这些二次离子，就可以得到关于样品表面信息的图谱。
二次离子质谱检测范围
掺杂和杂质深度分析、浅注入和超薄膜的超高分辨率深度分析、芯片分析、芯片结构及杂质元素定性定量分析、薄膜的组成和杂质的测量等。
二次离子质谱检测标准举例
1、GB/T 40129-2021 表面化学分析 二次离子质谱飞行时间二次离子质谱仪质量标校准
2、BS ISO 13084:2011表面化学分析.二次离子质谱.飞行时间二次离子质谱用质量标度的校准
3、ISO 13084:2018 表面化学分析 - 二次离子质谱法 -用于飞行时间二次离子质谱仪的质谱的校准
4、JIS K 0153:2015 表面化学分析. 二次离子质谱法.静态二次离子质谱法中相对强度范围的重复性和稳定性
5、JIS K 0157:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法.渡越时间二次离子质谱仪的质量标度的校准
6、BS ISO 13084:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析飞行时间二次离子质谱仪的质量标度校准
7、BS ISO 20411:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析单离子计数动态二次离子质谱饱和强度校正方法
8、JIS K 0158:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法.单离子计数动态二次离子质谱法中饱和强度的校正方法
9、GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法
10、SJ/T 11493-2015硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
11、GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法
12、GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱硅中硼深度剖析方法
13、SJ/T 11498-2015重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
14、GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法
15、ASTM E1504-11(2019二次离子质谱法（SIMS）中质谱数据报告的标准实施规程
二次离子质谱检测时间周期
到样后7-10个工作日（可加急），根据样品及其检测项目/方法会有所变动，具体需咨询工程师。
二次离子质谱检测流程
1、沟通需求（在线或电话咨询）；
2、寄样（邮寄样品支持上门取样)；
3、报价（根据检测的复杂程度进行报价）；
4、签约（签订合同和保密协议）；
5、完成检测（检测周期会根据样品及其检测项目/方法会有所变动，出具检测报告，售后服务）。
北京清析技术研究院提供分析、检测、测试、鉴定、研发等技术服务，已获得CMA、CNAS等资质证书。总院位于北京，在上海、广州、深圳、合肥、南京、成都、武汉等地区设立27家分院，工程师一对一咨询，寄样或上门任您选择，为您提供便利的检测服务。
