H波峰信号于一半高度的高度值D波峰信号于一半高度的宽度值A波峰信号于一半高度的截面积在计算出薄膜表面的尖锐度之后，即可以判断此尖锐度是否小于一标准值(步骤108)。倘若此尖锐度小于标准值，则表示此薄膜表面的粗糙度符合标准，倘若此尖锐度大于标准值，则表示此薄膜表面的粗糙度过大而不符合标准。另外，本发明亦可扩大应用在取得波峰信号在一固定比例高度的高度值(例如波峰信号的四分之三高度的高度值、三分之二高度的高度值或其它比例高度的高度值)，然后取得波峰信号在该高度位置的宽度值或取得该波峰信号在该高度位置的截面积，再将上述的高度值除以上述的宽度值或将上述的高度值除以上述的截面积，所得到的数值亦可以表示成薄膜表面的尖锐度。
本发明的分析薄膜表面粗糙度的方法可以应用在任何薄膜的检测上。以下的实施例为例举有机发光二极管的氧化铟锡电极膜表面粗糙度的分析来作详细说明，但并非用以限定本发明。
由于有机发光二极管的氧化铟锡电极膜表面的粗糙度，会影响有机发光二极管元件的表现以及有机发光二极管的寿命。因此氧化铟锡电极膜表面的平整度对有机发光二极管元件而言是相当重要的。因为有机发光二极管元件中，有机发光层所需的电流是由铟锡氧化层来传导，因此若是氧化铟锡膜的表面尖锐程度太大，电流可能会因放电的效应，而使区域的有机发光层承受较大的电场与电流，如此非但会影响元件发光均匀度的表现，而且区域的有机发光层降级的情况可能会提早发生，而影响元件的寿命。
为了有效掌握有机发光二极管元件的氧化铟锡电极膜表面之粗糙度，在氧化铟锡电极膜的溅镀工艺执行完之后，可以利用上述的方法(如图1所示)，来监测氧化铟锡电极膜表面的粗糙度。其中以波峰信号一半高度的高度值(H)除以一半高度的宽度值(D)的尖锐度(H/D)的实施例中，倘若后计算出来的尖锐度值小于0.015，则表示此氧化铟锡电极膜的粗糙度有符合标准。如此，才能确保有机发光二极管的元件表现以及寿命会有较佳的表现。
为了证明利用本发明的分析方法确实可以反映出有机发光二极管的元件表现及寿命，以下比较两有机发光二极管元件，其以公知方法量测两元件的表面粗糙度的结果是相同的，但以本发明计算出的尖锐度是不相同的。
图4所示，其为比较两元件的寿命的示意图，其中此两元件的Rms与Rp-v两数值是相同的。
请参照图4，图中的纵轴为亮度，横轴为时间。在此，A元件的ITO膜与B元件的ITO膜的Rms均为15埃，且A元件的ITO膜与B元件的ITO膜的Rp-v均为195埃。但利用本发明的分析方法所计算出来的尖锐度值却不相同，A元件的ITO膜的尖锐度为0.069，B元件的ITO膜的尖锐度为0.014。当元件持续发光的情况之下，B元件的可以持续发光150小时以上(如图4中B元件曲线所示)，而A元件发光的时间却不到1小时(因发光时间过短故图中难以表示)。
因此，由上述比较可以证明，利用公知方法所判断的具有相同粗糙度的薄膜，并非真实的反映出薄膜表面的粗糙度。
综合以上所述，本发明的分析薄膜表面粗糙度的方法确实可以真实的反映出薄膜表面的粗糙度，因此，本发明的方法可以改善公知方法会有将两种粗糙度误判成具有相同粗糙度的缺点。
一种分析薄膜表面粗糙度的方法，其特征是，该方法包括扫描一薄膜表面，以取得该薄膜表面的一波峰信号；取得该波峰信号在一半高度的一高度值；取得该波峰信号在一半高度的一截面积；将该高度值除以该截面积，即为该波峰信号的一尖锐度；以及倘若该该波峰信号的该尖锐度小于一标准值，即表示该薄膜表面粗糙度符合标准。
一种分析薄膜表面粗糙度的方法，此方法是首先扫描一薄膜表面，以取得薄膜表面的一波峰信号。接着，取得波峰信号在一固定比例高度的高度值，并且取得波峰信号在该高度位置的宽度值。之后，将此高度值除以此宽度值，即为薄膜表面的尖锐度。倘若薄膜表面的尖锐度小于一标准值，即表示薄膜表面粗糙度符合标准。利用本发明的分析方法可以确实的反映出薄膜表面的粗糙度。
