正电子湮灭谱仪

正电子湮没谱仪（DPALMS）用于金属、合金、半导体材料等的测量。该装置包括两个采集模块和两个电源模块。在寿命谱模式中，时间是用采样率3GS/s采集卡来采集的，它是采集来自两BaF2闪烁体的高速脉冲信号。在符合多普勒展宽测量（CDB）的模式中，二维直方图是通过符合两个锗半导体探测器的波峰值得到的。该设备还可以用来测AMOC，寿命动量关联谱。

主要参数

●功能：Lifetime、CDB和AMOC

●ADC： 时间：2CH 3GSPS8bit

            CDB ：2CH 100MSPS 14bit

●时间分辨： FWHM（半高宽） 192ps（511keV@22Na, BaF2 闪烁体） FWHM（半高宽） 160 – 190 ps (Silica)

●能量分辨： 1.23keV（512keV@106Ru）1.69keV(1.33MeV@60Co)

●PMT高压 ： 2CH, -4000V 对于Ge(锗)半导体：2CH, +5000V ※包括前放

●接口： Ethernet（TCP/IP）

●附件包括应用指导手册

1、组成部分

（1） 寿命谱模块
它是用于时间寿命谱测量，每个通道采用高速3GHz ADC。
输入信号是BaF2 闪烁体探测器。
DSP内置了时间差分（CFD、TDC）功能。
（2）DSP多通道分析模块
它是一个用于伽马射谱分析模块的多路数字信号处理（DSP）模块。采集来自高纯锗探测器的前置放大器的输出信号。
采样率100 MSPS，ADC增益为8192。
（3）前置放大器电源模块
前置放大器电源用于给高纯锗探测器供电。
通过D-sub 9针连接器供应±24 V（50 mA）和±12 V（50 mA）电源。
连接器的引脚排列符合NIM标准。
（4）高压电源模块
它是给两个BaF 2闪烁探测器和两个高纯锗探测器的提供高压的高压电源。
CH1和CH2用于给高纯锗探测器提供高压，电压+5000V（或-5000V）。
CH3和CH4用于给BaF2闪烁探测器提供高压，电压-4000V。
两者都使用SHV连接器。
（5）VME机箱

7槽VME机箱，100V/200V供电，额定功率300W

2、测量模式（包含5中测量模式）

（1）寿命谱模式

寿命谱模式(Lifetime )是通过采集两个BaF2闪烁体探测器的波形，取两个波形上升时间之差，来得到正电子寿命谱的测量。

（2）波形模式

波形模式是采集来自两个BaF 2闪烁探体测器的波形。

（3）能量模式
能量模式是用于测量来自两个高纯锗探测器的能谱。

（4）CDB（符合多普勒扩展谱）模式
CDB模式是对两个高纯锗探测器的符合计数，取每个峰峰值，得到正电子湮没符合计数的多普勒展宽。

  
（5）AMOC(正电子寿命-动量关联谱）模式
AMOC模式是两个BaF 2闪烁体探测器和一个高纯锗探测器的符合计数来测量正电子寿命 - 动量关联谱的模式。

3、几种测量模式说明

常见的使用寿命谱Lietime模式只能得到寿命谱，解谱得到正电子的寿命成分及相应的强度，从而得到材料中的空位或缺陷信息。CDB测量的是正电子湮没所产生的射线能量，可以反映电子的动量信息，多用于研究缺陷的变化。AMOC相当于lifetime+CDB，将两种信息关联起来，一般用于多聚物，多孔材料。

4、主要优势

a、纯数字化正电子谱仪，结构紧凑和简单，整个系统就一个普通电脑主机大小；

b、系统集成了寿命谱（Lietime）、多普勒展宽谱（CDB）、CDB&LIFETIME、寿命-动量关联谱（AMOC）多种模式，寿命谱只需要配2套BaF2探测器，CDB和AMOC还需要配2套高纯锗探测器，可根据实际需要配置不同探测器即可，谱仪不需要再增加配置。更低的价格，能实现更多的功能。

c、时间分辨更好，传统正电子谱仪典型时间分辨是220ps,TechnoAP典型时间分辨是200ps;

d、操作简单，所有功能配置都在软件上操作，不需要像传统正电子谱仪产品通过不同硬件模块（像旋钮）调整；硬件简单，基本操作都是通过软件，故障率更低；

e、一根网线搞定所有控制和传输，更加灵活；