英飞凌IGBT模块型号FS100R12KT3供应

      英飞凌IGBT模块型号FS100R12KT3供应，IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。IGBT模块保管注意事项：一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的；在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应温度变化较小的地方；保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
       栅极驱动功率的计算：由于IGBT是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT，或要求并联运行的IGBT则需考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE(on)和关断VGE(off)电压，栅极总电荷QG 和开关频率f的影响。栅极驱动电源的平均功率PAV计算公式为：PAV＝（VGE(on)＋VGE(off)）·QG·f对一般情况VGE(on)＝15V，VGE(off)＝10V，则PAV简化为：PAV=25×QG×f。QG 为栅极总电荷与CGE 有关，从EUPEC 的数据资料上可查到。若IGBT 并联，则QG是各个IGBT QG 之和，f 为IGBT 开关频率。