英飞凌IGBT模块型号FF200R12KT4原装有现货,下面我们介绍下IGBT的工作原理。
IGBT导通过程:当N沟道类型的IGBT处在正向阻断模式时,通过栅极-发射极间施加阀值电压VTH以上的(正)电压,在栅极电极正下方的p层上形成反型层(沟道),发射极电极下的n-层电子开始注入沟道,该电子为PNP晶体管的少数载流子,若此时集电极与发射极电压在0.7V以上,从集电极衬底p+层开始流入空穴,进行电导率调制(双极工作),所以可以使集电极-发射极间饱和电压降低。基片的应用在管体的P+衬底和N+漂移区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。J1将处于正向偏压,一些空穴注入N-区内,并调整阴阳极之间的电阻率,这种方式降低了功率导通的总损耗,并启动了第二个电荷流。后的结果是,在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑:一个电子流(MOSFET电流);空穴电流(双极)。UGE大于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,为晶体管提供基极电流,IGBT导通。电导调制效应使电阻RN减小,使通态压降小。
IGBT关断过程:栅射极间施加反压或不加信号时,MOSFET内的沟道消失,晶体管的基极电流被切断,IGBT关断。当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时,反型层无法维持,沟道被禁止,供应到N-漂移区的电子流被阻断,没有空穴注入N-区内。关断过程开始,但是关断不能迅速完成。MOSFET电流在开关阶段迅速下降,集电极电流则逐渐降低,这是因为正向传导过程中的N-漂移区被注入少数空穴载流子。换向开始后,由于沟道电子流的中止,集电极的电流急剧降低,然后在N-层内还存在少数的载流子(少子)进行复合,集电极电流再逐渐降低。这种拖尾电流的降低,完全取决于关断时电荷的密度,而密度又与掺杂质的数量和拓扑,层次厚度和温度有关。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形,会引起以下问题:功耗升高;交叉导通问题,特别是在使用续流二极管的设备上,问题更加明显。
IGBT驱动电路的作用是将控制器输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,IGBT的可靠工作。本栏介绍IGBT的驱动原理,驱动电路及集成驱动器。英飞凌IGBT模块一系列型号现货销售,库存充足,欢迎咨询。
英飞凌IGBT模块型号FF200R12KT4原装有现货
更新:2024-05-05 08:15 发布者IP:222.129.49.205 浏览:0次- 发布企业
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- 报价
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- 品牌
- 英飞凌
- 型号
- FF200R12KT4
- 是否定制
- 否
- 关键词
- 英飞凌IGBT模块
- 所在地
- 北京市通州区鑫隅三街11号院9号楼4层
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产品详细介绍
成立日期 | 2020年08月17日 | ||
法定代表人 | 余倩 | ||
注册资本 | 100 | ||
主营产品 | LEM传感器、Bussmann熔断器、力特熔断器、LS手机连接器 | ||
经营范围 | 技术推广、技术开发、技术服务、技术转让、技术咨询;企业管理咨询;销售机械设备、五金交电、化工产品(不含危险化学品)、建筑材料、电子产品、计算机、软件及辅助设备、日用品、文化用品、工艺品、针纺织品、电子元器件;货物进出口、技术进出口、代理进出口。(市场主体依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。) | ||
公司简介 | 本公司专注于新能源汽车领域核心电子元器件代理分销业务,总部设于北京,为客户提供专业、高效、迅捷的服务及支持。规范的企业管理,灵活的经营机制,优良的售后服务,不断的开拓创新,将使祥泰宏远发展成为同行业中具发展潜力的企业之一。公司以价格、质量、技术综合优势遍销全国各地。 ... |
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