DDR SDRAM与SDRAM一样，在开机时也要进行MRS，由于操作功能的增多，DDRSDRAM在MRS之前还多了一EMRS阶段（Extended Mode RegisterSet，扩展模式寄存器设置），这个扩展模式寄存器控制着DLL的有效/禁止、输出驱动强度、QFC 有效/无效等。
由于EMRS与MRS的操作方法与SDRAM的MRS大同小异，在此就不再列出具体的模式表了，有兴趣的话可查看相关的DDR内存资料。下面我们就着重说说DDRSDRAM的新设计与新功能。
1、 差分时钟
差分时钟（参见上文“DDRSDRAM读操作时序图”）是DDR的一个必要设计，但CK#的作用，并不能理解为第二个触发时钟（你可以在讲述DDR原理时简单地这么比喻），而是起到触发时钟校准的作用。由于数据是在CK的上下沿触发，造成传输周期缩短了一半，必须要保证传输周期的稳定以确保数据的正确传输，这就要求CK的上下沿间距要有的控制。但因为温度、电阻性能的改变等原因，CK上下沿间距可能发生变化，此时与其反相的CK#就起到纠正的作用（CK上升快下降慢，CK#则是上升慢下降快）。而由于上下沿触发的原因，也使CL=1.5和2.5成为可能，并容易实现。与CK反相的CK#保证了触发时机的准确性。
2、 数据选取脉冲（DQS）