于nor flash相比，nand flash的容量要大许多，nand 不同于nor，其采用i/o接口只能采取顺序访问，s3c2440不仅具有nandflash的接口，而且还可以利用某些机制实现直接从nandflash启动并运行程序。相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来，以便以后不再使用该坏块。nandflash没有地址或数据总线，如果是8位nandflash，那么它只有8个IO口，这8个IO口用于传输命令、地址和数据。nandflash主要以page（页）为单位进行读写，以block（块）为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区，main区用于正常数据的存储，spare区用于存储一些附加信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。
NANDFLASH是以页为单位写，以块为单位来擦除，那么它们的区别就在这个上面：
1Gb 为大页 page=2048Kb BLOCK=128K
512Mb 为小页 page=512byte BLOCK=16K
一般情况下，对于小页的nand falsh读写只能按照以也为单位进行读写，但是对于K9F2G08R0A是支持按字节读取的。
刚才上面有提到ECC校验，ECC是“Error CorrectingCode”的简写，中文名称是“错误检查和纠正”，ECC是每256个字节生产一个24位的值。这样可以看出来，大页需要每一页需要8个ECC小页每页只需要2个ECC。
NANDFLASH是这样利用ECC进行检测的，NANDFLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区，当要读页时也会生产一个ECC值，会跟SPARE的值进行异或比较，看结果是否为0，在工程开发中假如在大页换小页的时候，一定要修改这个算法，相反也是。
一般情况下，由于nand的价格优势，用于会把启动代码放到nand里面，而把一些主要运行的代码放到nor里面去执行。其实，三星公司是nandflash的供应商，所以2440对其的支持也就不足为怪了，但是nandflash只能按照页来读取，并且nandflash很容易出错，既然要对nand支持就要解决这两个问题，三星公司是这么做的，在2440内部装备了一块称为Steppingstone大小为4k字节的SRAM，在2440启动之初，系统会自动把nand的前4k字节的代码拷贝到Steppingstone，然后去Steppingstone执行这4K字节的代码，通过这4K字节的代码用户可以把nand4k后面的代码拷贝到sdram，然后条状到sdram中去执行程序，这一过程的前半部分可以看下图来理解；为了解决nand存取数据送一出错的问题，nand支持硬件的ECC，通过ECC来保证数据的准确性。
