高温光刻胶生产厂家 光刻胶 北京赛米莱德

光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占IC制造50%左右，高温光刻胶生产厂家，成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。

光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被曝光的光刻胶将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，高温光刻胶厂家，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。

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光刻胶分类

1、负性光刻胶

主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表，后者以OMR系列为代表。

2、正性光刻胶

主要以重氮醒为感光化台物，以酚醛树脂为基本材料。的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。

3、负性电子束光刻胶

为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。的是COP胶，高温光刻胶哪家好，典型特性:灵敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速电压10KV时)、分辨率1.0um、对比度0.95。限制分辨率

的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。

4、正性电子束光刻胶

主要为甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。的是PMMA胶，典型特性:灵敏度40~80μC/cm^2 (加速电压20KV时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。

PMMA胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，在高温下易流动，耐干法刻蚀性差。

光刻胶的应用

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模拟半导体（AnalogSemiconductors）发光二极管（Light-Emitting DiodesLEDs）微机电系统（Microelectromechanical Systems MEMS）太阳能光伏（SolarPhotovoltaics PV）微流道和生物芯片（Microfluidics &Biochips）光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）封装（Packaging）

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