燕山石化聚丙烯PPH-2101M
由于透明导电氧化物薄膜的功函数在光电器件中对异质结的界面势垒高度有着直接影响，选择高功函数的透明导电氧化物薄膜能够降有效低其与有机半导体层之间的界面接触势垒，降低电流型器件的开关电压，提高器件的功效，如透明导电氧化物在有机发光二极管(oled)中的应用。ito薄膜的功函数在4.45ev左右，而用于oleds的大部分有机半导体其homo能级一般在真空能级以下大于5.0ev处，若能进一步提高以ito为代表的tco薄膜的功函数到5.0ev或更大，那么空穴的注入效率可以进一步提高。
物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源-固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，其是制备tco薄膜的一种重要方法。物理气相沉积技术的基本原理包括三个步骤：材料源的气化；材料源原子、分子或离子的迁移；材料源原子、分子或离子在基体上的沉积。目前为常用的提高tco薄膜功函数的方法，是对tco薄膜表面进行酸碱处理或等离子体处理。通过酸处理对tco薄膜进行界面修饰，薄膜功函数增加的数值有限，且致命的问题是利用酸洗后会对薄膜表面产生刻蚀；通过等离子体处理提高tco薄膜的功函数，虽然在表面处理之后的很短时间内薄膜的功函数获得提高，但是随着在大气中暴露时间的增加其功函数出现急剧下降的现象，同时其它获得改良的性能也出现了一定的时效效应。因此，目前提高薄膜功函数的方法有一定的局限性，并且不够稳定。
