光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成,又被称为光致抗蚀剂,这是一种对光非常敏感的化合物。此外,光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光曝光后,它在显影液中的溶解度会发生变化。
分类
根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。
正胶
曝光前对显影液不可溶,而曝光后变成了可溶的,能得到与掩模板遮光区相同的图形。
优点:分辨率高、对比度好。
缺点:粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。
灵敏度:曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量
负胶egative
PhotoResist)
与正胶反之。
优点: 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。
缺点: 显影时发生变形和膨胀,PR1 1500A1光刻胶价格,导致其分辨率。
灵敏度:保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。
NR9-3000PYPR1 1500A1光刻胶
二、预烘和底胶涂覆(Pre-bake and Primer Vapor)
由于光刻胶中含有溶剂,所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100°C。这是与底胶涂覆合并进行的。
底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用:(HMDS)、在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆、PR涂覆前用冷却板冷却圆片。
2,涂胶,在硅片覆盖,旋转,离心力,在硅片表面通过旋转的光刻胶,PR11500A1光刻胶报价,工艺参数3000-6000rpm 胶膜厚0.5-1um,
3,PR1 1500A1光刻胶厂家,前烘,通过在较高温度下进行烘焙,PR11500A1光刻胶,使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发,溶剂将至5%左右,同时增强与衬底的粘附性。前烘方法:热平板传导,干燥循环热风提高附着力,红外线辐射。
烘箱前烘条件:90-100度,10-20min,前烘时间与温度应适当,如太长或温度太高,光刻胶层变脆而附着力下降,而前烘不足会影响后面的显影效果。
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