含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,NR93000P光刻胶,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含Si的光刻胶,这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作Underlayer),其对光是不敏感的。曝光显影后,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到Underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer,具有较高的刻蚀选择性[2] 。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的,例如硅氧烷,含Si的树脂等
光刻胶的成分
树脂:光刻树脂是一种惰性的聚合物基质 ,NR93000P光刻胶厂家,是用来将其他材料聚合在一-起的粘合剂。 光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的。
感光剂:感光剂是光刻胶的核心部分,他对光形式的辐射能,特别在紫外区会发生反应。曝光时间、光源所发射光线的强,度都根据感光剂的特性选择决定的。
溶剂:光刻胶中容量较大的成分,感光剂和添加剂都是固体物质,为了方便均匀的涂覆,要将他们加入溶剂进行溶解,形成液态物质,并且使之具有良好的流动性,可以通过选择方式涂布在wafer表面。
添加剂:用以改变光刻胶的某些特性,NR93000P光刻胶报价,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂。
想了解更多关于光刻胶的相关资讯,请持续关注本公司。
光刻胶分类
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的KPR为代表,后者以OMR系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以重氮醒为感光化台物,以酚醛树脂为基本材料。的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
3、负性电子束光刻胶
为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。的是COP胶,典型特性:灵敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速电压10KV时)、分辨率1.0um、对比度0.95。限制分辨率
的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。
4、正性电子束光刻胶
主要为甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。的是PMMA胶,NR93000P光刻胶公司,典型特性:灵敏度40~ 80μC/cm^2 (加速电压20KV时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。
PMMA胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低,此外在高温下易流动,耐干法刻蚀性差。
北京赛米莱德-NR9 3000P光刻胶由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。北京赛米莱德贸易有限公司在工业制品这一领域倾注了诸多的热忱和热情,赛米莱德一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场,衷心希望能与社会各界合作,共创成功,共创。相关业务欢迎垂询,联系人:况经理。